Trabalho

Universidade do Estado do Rio de Janeiro
Faculdade de Engenharia — Departamento de Engenharia Elétrica
Eletrônica I

Projeto BJT

Componentes: Fernanda P. P. S. Santos – Igor Tupinambá
Turma: 01 - Curso: Engenharia Elétrica - Professor: Evandro
Conteúdo:

1. Introdução 3 2. Legenda 3 3. Fonte DC 4 4. Funcionamento do circuito 4 5. Cálculos 5 6. Gráficos da simulação 6 7. Orçamento dos Componentes utilizados 9 8. Conclusão 9 9. Bibliografia 10

1. Introdução:

O transistor bipolar é um dispositivo composto por três terminais (Base, Coletor e Emissor) em que a tensão (também corrente) aplicada a dois terminais controla a corrente em um terceiro terminal. Podemos variar a corrente entre zero e um valor de saturação, onde classificamos essas variações em 3 regiões: região de corte quando Ic=0, região linear ou ativa quando Ic =βIB e região de saturação quando Ic<βIB. Na região linear podemos utilizar o transistor como um amplificador e nas regiões de corte e saturação podemos usar o transistor como uma chave. Para o aprimoramento do aprendizado do curso de eletrônica - I foi nos incumbido o desenvolvimento de um projeto onde a finalidade seria calcular as resistências em função de um VCE, VCC e Ic conhecidos, fazendo uso dos conhecimentos previamente adquiridos. Para o dado projeto foram executados: o desenvolvimento do circuito elétrico, cálculo dos componentes, precificação dos equipamentos, além de uma análise comparativa com componentes a preço de mercado, e de simulações executadas no software Multissim 12, que através de uma gama de utilitários pode nos demonstrar maior exatidão, proveniente dos gráficos, também inclusos neste projeto.

2. Legendas:
IB → Corrente da Base
Ic → Corrente do Coletor
IE → Corrente do Emissor→ Se β>>1, IE Ic β → Constante do Transistor
VCE→ Tensão entre