Relatório Eletrônica3

´ rio 3
Relato

TRANSISITOR DE EFEITO DE CAMPO DE
˜
JUNC
¸ AO
December 18, 2014

Rodrigo Lacerda Benites RA:121345
William Hideki Azana Tustumi RA:120281

Universidade Estadual de Campinas
Faculdade de Engenahria El´etrica e Computa¸c˜ao

1 Introduction
Neste experimento estuda-se o transistor JFET (junction Field Effect Transistor), para isso obt´em-se a curva i x v caracter´ıstica pela medidas de corrente e tens˜ ao desejadas.Al´em disso determina-se os principais paramˆetros de processo sobre o transistor. Finalmente projeta-se e implementa-se um ampificador sintonizado. O presente relat´orio se encontra organizado em uma breve teoria, metodologia empregada e an´ alise com conclus˜ oes obtidas.

2 Teoria
2.1 Funcionamento JFET
O transistor de efeito de corpo de jun¸c˜ao, JFET, pode ser entendido como um diodo de jun¸cao PN onde existe um terceiro terminal. A figura 1 ilustra `a constru¸c˜ ao deste transistor. Figure 1: Esquema do funcionamento do transistor JFET.
Observando a estrutura deste transistor nota-se que se trata de um dispositivo unipolar, em contraposi¸ca˜o ao transistor visto no u
´ltimo experimento. As correntes s˜ ao realizadas basicamente pelo canais majorit´ arios, el´etrons no dispositivo de canal N e lacunas nos de canal P.

2.2 Caracteriza¸c˜ ao A caracter´ıstica de transferˆerencia IDS XVGS quadr´atica pode ser visualizada na figura
2 onde a corrente IDS alcan¸ca seu valor m´aximo quando VGS vale zero, denominamos esta corrente de IDSS . Existe um valor de VGS onde a corrente ´e praticamente nula, neste valor VGS = −VP .
Pode-se caracterizar o transistor JFET pela curva ID XVDS que explicita as regi˜oes de
´ poss´ıvel observar que existe uma opera¸ca˜o do transistor. A figura 3 ilustra estas regi˜ oes. E regi˜ao de operac˜ao para qual o comportamento ´e linear, isto se d´a para valores pequenos de VDS , a partir de valores de VDS = VDsat entramos em outra regi˜ao de opera¸c˜ao, a

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