Relatorio Pratico Dispositivo Ohmicos

PONTIFICIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DE MINAS GERAIS

ENGENHARIA MECANICA - NOITE
MARCELO MOURA MOREIRA

Laboratório de Física llI – Relatório de Prática Experimental

Dispositivos Ôhmicos e não Ôhmicos

Belo Horizonte
2015
INTRODUÇÃO

Quando um componente de um circuito elétrico é submetido a uma diferença de potencial V, aparece nele uma corrente I. A resistência elétrica R desse elemento é definida pelo quociente entre a diferença de potencial aplicada e a corrente resultante:

O comportamento de uma função de V depende das características do componente elétrico. Quando a relação V/I é constante qualquer valor de V, o elemento é chamado de resistor linear. essa situação corresponde a lei de Ohm, segundo a qual a corrente em um resistor é diretamente proporcional a diferença de potencial ou tenção elétrica, aplicada nele. Os resistores lineares são também chamados de resistores ôhmicos.

Nos materiais semicondutores a lei de Ohm é observada apenas para campos elétricos abaixo de certo valor. O diodo de silício é um exemplo de material semicondutor. Os quatro elétrons de valência de cada átomo em um cristal de silício estão envolvidos em ligações covalentes alterar perfeitas de forma que não podem se mover entre os átomos. É possível transformar um semicondutor em um condutor dopando-os.

A dopagem é a inserção de uma pequena quantidade de impureza ao cristal do semicondutor, Existem dois tipos:

Tipo n: Nesse caso são inseridos elementos aos quais os elétrons externos de cada um ficam foram de posição e não tem a quem se ligar ganhando assim liberdade de movimento.

Tipo p: Na dopagem tipo p, o dopante possui 3 elétrons externos e quando misturados ao semicondutor formam lacunas e o elétrons do semicondutor não tem a quem se ligar ganhando liberdade de movimentos.
Na junção entre o silício tipo n e o silício tipo p as lacunas e os elétrons se encontram quando isso ocorre dizemos que o semicondutor esta polarizado para a direta. Teoricamente a