Questionario Capitulo 4

FACULDADE DE TECNOLOGIA DE SÃO PAULO

QUESTIONÁARIO CAPÍITULO 41

SÃO PAULO
2015
FACULDADE DE TECNOLOGIA DE SÃO PAULO

TÍTULO DO TRABALHO

Componentes do Grupo
Nº matrícula
Nome

Data: 18 29 de abrilmarco de 2015.

SÃO PAULO
2015

Respostas:

1- N = 16bits = 2bytes
M= 212 = 4K endereços
R = MxN = 2*4K = 8Kbytes

2- Indica quanto tempo a memória gasta para colocar uma informação na barra de dados após uma determinada posição ter sido endereçada. Isto é, o período de tempo decorrido desde o instante que que foi iniciada a operação de acesso tanto para leitura ou escrita.

3- Leitura e escrita

4- A diferença entre elas reside na capacidade de uma reter um valor de bit enquanto estiver energizada (SRAM) enquanto a outra requer frequentes carregamentos de energia para manter o valor do bit (DRAM).

5-

Memoria
Endereços
Conteúdo
Total de bits
Memória A
215
23
218
Memória B
214
24
218
Memória C
214
23
217

6- REM: armazenar temporariamente o endereço de acesso a uma posição de memória, ao se iniciar uma operação de leitura ou escrita
RDM: armazenar temporariamente uma informação que esteja sendo transferida da memória principal para a Unidade de Controle (leitura) ou vice-versa (escrita).

7- Barramento de endereços: liga a UCP a MP, transferindo bits que significam um endereço. É unidirecional ou seja, a informação trafega sempre da UCP para a MP.
Barramento de dados: interliga a UCP a MP, transferindo bits de informação. É bidirecional, isto é, os bits percorrem o barramento da UCP para a MP (operação de escrita) e no sentido inverso (operação de leitura)
Barramento de controle: interliga a UCP a MP para a passagem de sinais de controle (leitura e escrita). 8-
a. Endereço é enviado no barramento de endereço

b. Sinal de leitura no barramento de controle

c. MP encontra o conteúdo da célula

d. MP envia o a informação pelo barramento de dados

9-
a. Endereço é enviado