PSI5723 1 Lista

PSI5723 -- 1o Ciclo Abril-2015
LISTA DE EXERCÍCIO No. 1
Inicialmente foram desenvolvidos os leiautes de cinco osciladores com portas NANDs seguindo a tabela 1:
Tabela-1: Valores Wp e Wn dos transistores nas portas NAND a serem adotados em cada oscilador.

oscilador oscilador – 1 oscilador – 2 oscilador – 3 oscilador – 4 oscilador – 5

pMOS (Wp) em m
2,0
1,75
1,5
1,25
1,0

nMOS (Wn) em m
1,0
1,25
1,5
1,75
2,0

P/N
2,00
1,40
1,00
0,71
0,50

O esquemático de cada porta NAND esta representado na figura 1, foi tomado como exemplo o esquema de uma porta NAND com Wp e Wn iguais a 1,5m:

Figura 1 – Esquemático de uma porta NAND com Wp e Wn iguais a 1,5m

O leiaute de cada porta NAND está representado na figura 2, onde, novamente, o exemplo é o do leiaute de uma porta NAND com Wp e Wn iguais a 1,5m. Os demais leiautes estão no anexo 1.

Figura 2 – Leiaute de uma porta NAND com Wp e Wn iguais a 1,5m

Os leiautes das portas NANDs foram feitos com espaçamentos mínimos. Foi usado distancia mínima entre contatos, no entanto, nem sempre foi possível utilizar o espaçamento mínimo de 0,07m entre contato e borda da região ativa na vertical. Os contatos de substrato foram colocados abaixo do transistor N e acima do transistor P, e utilizados para passar as trilhas de VDD no topo e VSS embaixo. Os terminais de entrada foram criados em metal 1 e o terminal de saída com metal 2.
Na sequencia foram criados os osciladores na configuração mais lenta, ou seja, com A entrada e B ligado a VDD. O esquemático de um oscilador está representado na figura
3, onde, assim como no caso das portas NANDs, o exemplo é o de um oscilador que utiliza portas NAND de Wp e Wn iguais a 1,5m.

Figura 3 – Esquemático de um oscilador construído com NANDs de Wp e Wn iguais a 1,5m

Os leiautes desenvolvidos estão representados na figura 4, que mostra o leiaute de um oscilador construído com NANDs de largura de canal iguais. Os demais leiautes dos outros osciladores estão no anexo 2.

Figura 4 – Leiaute