Memórias semicondutoras
Sumário
Histórico
Efeito Ovshinsky
Definições
Funcionamento
- RAM
- ROM
- FLASH
Referências
H istórico
A história das memórias semicondutoras tem sua origem atrelada com uma invenção de
Stanford R.
Ovishinsky, em 1959 com sua invenção o
Ovitrom.
http://blog.modernmechanix.com/the-ovshinsky-invention
H istórico : Ovitrom
Uma chave semicondutora que nada mais era que um modelo mecânico de uma célula nervosa.
Envolvia para época (1953) um processo pioneiro no uso de nanoestruturas.
Apesar de uma grande invenção não tinha utilidade prática.
Histórico : Ovitrom
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Stanford percebeu que certos tipos de vidros finos conhecidos como materiais amorfos ou desordenados transformavam-se em semicondutores quando recebiam uma corrente de baixa voltagem.
Muitos livros científicos citam tal efeito ocorrido de efeito Ovshinsky.
Efeito Ovshinsky
Materiais como o vidro nunca teria nada parecido com o efeito que existia em materiais cristalinos, principalmente pela ausência de periodicidade dos átomos.
Certamente, nestes materiais, os elétrons seriam tão isolados uns dos outros que não poderiam juntar para então se moverem, impossibilitando o fluxo de elétrons constantes exigido para um material semicondutor.
Efeito Ovshinsky
Mas com uma pequena tensão ocorria uma ordenamento dos átomos em um curto alcance possibilitando o material amorfo agir como uma material cristalino.
Os PCS antes de 1963 usavam uma memória de acesso dinâmico randômico (DRAM) que perdiam os dados quando ficavam sem energia.
Já com a memória de mudança de fase feita a partir da descoberta de Stanford ocorre o registro dos dados ao alterar as características físicas do material semicondutor e aquela mudança se mantém mesmo sem uma corrente elétrica, princípio básico para memória flash.
Definições
MEMÓRIA Conjunto de circuitos que