estrutura switch case

Trabalho De Eletrônica Tema:diodos Especiais
Turma : Automação

Prof. Haroldo Giust

ALUNOS: José Ricardo Machado de Brito
Edson Ricardo da Silva Bastos

Diodos de junção

O princípio básico de operação já foi dado na página Semicondutores I-20. Este tópico retorna ao assunto com informações mais detalhadas.

Conforme o próprio nome, é uma simples junção de um semicondutor tipo P com outro tipo N. A Figura 01 (a) dá uma idéia do arranjo e, em (b), o conhecido símbolo.

Figura 01
No semicondutor tipo P, os portadores de carga elétrica são positivos (buracos) e, no tipo N, são negativos (elétrons).

Se nenhum potencial elétrico externo é aplicado, ocorre um natural rearranjo de cargas nas proximidades da junção.

Os portadores negativos do semicondutor N tendem a se difundirem no semicondutor P, atraídos pelos seus portadores positivos. E vice-versa. Esses portadores opostos se combinam e formam, em ambos os lados da junção, uma região com redução (depleção) de portadores livres.

Figura 02
Mas o processo de difusão não continua indefinidamente. O desequilíbrio elétrico cria um campo elétrico E, que se opõe ao movimento de cargas e o processo se estabiliza, deixando uma "barreira de potencial" na junção.

Se um potencial elétrico externo é aplicado na junção conforme Figura 02, a região de depleção aumenta e quase não há corrente no circuito. Nessa condição, o diodo está inversamente polarizado.

Figura 03
Se o potencial externo V é aplicado no sentido dado na Figura 03, a região de depleção diminui e entra em colapso, permitindo a troca dos portadores de carga de ambas as partes. O resultado é uma considerável corrente I pelo circuito.

Nessa condição, o diodo está diretamente polarizado, ou seja, ele conduz.

Na realidade, para a condução ocorrer, o potencial V deve ser um mínimo, superior ao da barreira. Para diodos de germânio esse valor é cerca de 0,3 V. Para