Eletronica

IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor
Os IGBTs servem Para serem aplicados em sistemas de elevada potência e substituírem as rudimentares válvulas, os dispositivos semicondutores devem ser capazes de suportar grandes correntes e elevadas tensões reversas em seu chaveamento. Além disso, há necessidade de uma operação em elevadas freqüências de chaveamento dos dispositivos semicondutores, como, por exemplo, os inversores de tensão, necessários para a construção de filtros ativos de potência. Dessa forma, os dispositivos semicondutores devem possuir baixas perdas de potência durante o chaveamento.
Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potência à elevada impedância de entrada dos MOSFET’s, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potência de uso industrial e até mesmo em eletrônica de consumo e embarcada.Sua estrutura é muito semelhante àquela apresentada por um transistor MOSFET. No caso do IGBT, teremos uma dupla difusão de uma região do tipo P e uma do tipo N.

A principal diferença entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET é a inclusão de um substrato P+ (O símbolo “+” foi colocado para indicar que esta região é fortemente dopada, enquanto que o símbolo “-” indica que a região é fracamente dopada) onde é conectado o terminal de coletor (collector) IGBT MOSFET

Esta camada P+ tem como objetivo a inclusão de portadores positivos – lacunas – na região de arrastamento (Drift region) como é feito em um transistor bipolar do tipo pnp

O IGBT é freqüentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de condução (On-state) e corte (Off-state) os quais são controlados pela tensão de porta, assim como em um MOSFET.
Os IGBT’s são componentes usados principalmente como comutadores em conversores de freqüência, inversores etc. Nestas aplicações, normalmente uma carga indutiva é ligada e desligada,