Eletronica

Questão 01 - Letra A
R = S * (L/W)
2200 = 16 * (L/W)
2200/16 = L/W = M
M = L/W = 137
Rt = M*R
Rt = 137 * 2200
Rt = 301400
M = 137 1:10 aprox. 13
R = S * (L/W)
10000 = 100 * (L/W)
10000/100 = 100 * (L/W) = M
M = L/W = 100
Rt = M*R
Rt = 100 * 10000
Rt= 1000000
M=100
1:10 aprox. 10

Questão 04
O desenvolvimento de todos os equipamentos e aparatos tecnológicos atuais somente foi possível graças à aplicação da eletrônica nas mais variadas áreas da engenharia.
A forma dessa aplicação é através de circuitos eletrônicos de alta complexidade, miniaturizados como Circuitos Integrados.
A cadeia de produção de circuitos eletrônicos integrados abrange uma grande sequência de etapas interligadas.
O entendimento dos detalhes desta cadeia permite compreender as características deste mercado.
Fabricação do Wafer
– Silício puro → wafer
Projeto e Layout
– Idéias → layout
Fabricação dos circuitos
– Wafer+layout → wafer processado
Encapsulamento
– Wafer processado → circuitos encapsulados
Testes (permeia as 4 etapas anteriores)

Insumo
Matéria prima: silício bruto com alto grau de pureza (maior que 1:109);
O silício é extraído do minério de sílica, e purificado por processos químicos e por fusão / solidificação;
Silício é o segundo elemento mais abundante na crosta da terra;

Lingote
Silício bruto é fundido num forno (temp. de fusão = 1410 °C);
Uma “semente” mono cristalina é introduzida na superfície do silício fundido;
A tração controlada da semente faz crescer uma estrutura mono cristalina ao redor da semente (processo Czochralski);

Wafer
A superfície do lingote é retificada e após ele é fatiado (slicing) em lâminas com menos de 1 mm de espessura;
O diâmetro do lingote define o tamanho da lâmina (wafer);
As lâminas são polidas e decapadas quimicamente;
A superfície é dopada homogeneamente por difusão ou crescimento epitaxial (menos defeitos);
Após uma inspeção final, estão prontas para uso;