Eletroica Analogica

Eletrônica Analógica
Diodos

Semicondutores
• Principais semicondutores: Silício (Si) e Germânio (Ge)
• As principais características:
– Resistividade é alterada quando é fornecida algum tipo de radiação.
Ex: calor
– Tem dois tipos de portadores de carga.
– Tem resistividade intermediária entre condutores e isolantes

Semicondutor Intrínseco
• É o semicondutor em estado puro (só átomos de semicondutor) • Estrutura simplificada do átomo de silício:

Estrutura do Si
• O Si é um cristal: arranjo geométrico dos átomos é feito de forma regular.
• Ligação covalente: cada átomo se liga com quatro átomos vizinhos compartilhando os elétrons da última camada.

• Estrutura cristalina do Si a 0⁰ K (-273 ⁰C) – O material se comporta como isolante (não tem portadores de carga)

Geração de Portadores
• A ausência do elétron na ligação covalente é chamada de lacuna ou buraco e se comporta como portador de carga positiva • Estrutura do Si a uma temperatura acima de 0⁰ K

Concentração Intrínseca
• Se n é o número de elétrons por unidade de volume (por cm³) e p o número de lacunas por unidade de volume então
• n=p=ni=concentração intrínseca de semicondutor que no caso vale: Semicondutor submetido a um campo elétrico externo • Mecanismo de condução de lacunas

Semicondutor submetido a um campo elétrico externo • Mecanismo de condução de lacunas

Semicondutor submetido a um campo elétrico externo • Mecanismo de condução de lacunas

• A condução de lacunas não tem elétrons livres !!!

Corrente em um semicondutor Intrínsico

Recombinação
• É o mecanismo pelo qual um elétron livre, ao perder energia, se recombina com uma lacuna passa a fazer parte da ligação covalente , desaparecendo o elétron-lacuna.
• Se a temperatura do cristal está aumentando a taxa de geração é maior do que a recombinação e, portanto o número de pares elétron lacuna aumenta.
• Se a temperatura do cristal está diminuindo, a taxa de recombinação é maior do que a de geração e, portanto o número de pares