Elet Nica De Potencia 1 Bimestre

Mosfet
Mosfet é a abreviação da palavra Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor (transistores de efeito de campo). Esses transistores diferentes dos transistores bipolares comum são típicos amplificadores de tensão e não de corrente. Enquanto a corrente de coletor de um transistor comum é função da corrente de base, em um mosfet , a corrente do dreno é função da tensão de comporta, segue abaixo a estrutura do Mosfet:

Figura 1: Estrutura do Mosfet
Uma fina película de Oxido de metal isola a região de comporta da região do canal que liga o dreno a fonte. Podendo ter 2 tipo de mosfet, tipo P e tipo N, onde a diferença entre eles depende da polaridade dos matérias semicondutores

Figura 2: Mosfet tipo P e N

Mosfet tipo Depleção (MOSFET-D)

IGBT
Tem como nome Insulated Gate Bipolar Transistor, tem a facilidade do acionamento dos MOSFET, e elevada impedância de entrada com pequenas perdas de condução dos TBP (transistores bipolares de potencia), suas velocidade de chaveamento é lenta, é recomendado para comutação de cargas de alta corrente em regime de alta velocidade, conforme podemos observar na imagem abaixo, a região de operação desse tipo de transistor é maior que as regiões dos MOSFET’s e TBP’s .

Figura 3: Limites de operações dos componentes semicondutores de potencia
Estrutura IGBT

Figura 4: Estrutura IGBT
Sua estrutura é muito semelhante a de um MOSFET, abaixo da região da porta Gate, uma camada de inversão pode ser formada a partir da aplicação de uma certa tensão entre a porta e o emissor tal como é feito em um MOSFET para faze-lo entrar em condução.
A diferença entre esses dois transistores é a inclusão de um substrato P+ ( onde + indica uma região fortemente dopada, enquanto – indica uma região fracamente dopada), onde é conectado o terminal coletor, com isso tem as características de transistores bipolares do tipo PNP. O IGBT é freqüentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de condução (On-state) e corte (Off-state) os