Dopagem2

Dopagem eletrônica consiste num procedimento de adição de impurezas químicas a um elemento semicondutor para transformá-lo num elemento mais condutor, porém, de forma controlada
O conceito de semicondutor intrínseco está relacionado ao cristal que, não-intencionalmente, possui não mais de um átomo de elemento químico estranho para cada um bilhão de átomos do material escolhido. O teor de impureza, neste caso, é chamado 1 ppb, ou uma parte por bilhão. A interferência da impureza não é suficiente par interferir na estabilidade do material, sendo o cristal, portanto, estável.
Por outro lado, o semicondutor dopado possui, intencionalmente, cerca de um átomo de elemento químico desejado (ao contrário do estranho) para cada um milhão de átomos do material escolhido. O teor da impureza é, no semicondutor dopado, 1 ppm, ou uma parte por milhão.
Os semicondutores dopados possuem, aproximadamente, mil vezes mais impurezas do que os semicondutores intrínsecos.
Três elementos comuns na dopagem eletrônica são o carbono, o silício e o germânio. Todos possuem quatro elétrons na camada de valência, o que possibilita que formem cristais já que compartilham seus elétrons com os átomos vizinhos, formando estruturas reticuladas ou cristalinas.
Existem dois tipos de impurezas usadas:
N: ocorre com a adição de fósforo ou arsênico ao silício. Tanto o arsênico quanto o fósforo possuem cinco elétrons na camada de valência. Ocorrem ligações covalentes entre quatro elétrons e um deles fica livre, ou seja, é o chamado elétron livre, que ganha movimento e gera corrente elétrica. O nome N provém da negatividade gerada da carga negativa existente.
P: nesta dopagem, há adição de boro ou gálio ao silício. Ambos possuem três elétrons na camada de valência. Quando são adicionados ao silício criam lacunas, que conduzem corrente e a ausência de um elétron cria uma carga positiva (por isso o nome P).

O nome semicondutor se justifica, uma vez que uma pequena quantidade de dopagem N ou P conduzem de