ATPS Eletr nica I

Anhanguera Educacional

5º Semestre Engenharia Elétrica
Disciplina: Eletrônica I

ATPS
Professor: Alexandre de Almeida

Nome: RA:
Marcelo da Silva Ramos 2400007015

Guarulhos, 20 de Maio de 2015.
FET – TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO
FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações, além disso, são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO
Assim como ocorre com os BJTs, há sempre dois tipos de transistores, NPN e PNP. A diferença está no portador majoritário (elétrons ou lacunas). Já que os FETs são controlados por variações no campo elétrico através da junção, é possível construir um capacitor no elemento de controle e, dessa forma, reduzir ainda mais a corrente de fuga. O óxido de metal de um MOSFET forma o capacitor na entrada do elemento de controle (a porta).
CARACTERÍSTICAS DO FET
Controle por Tensão: A corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada na porta, em contraste com o transistor BJT, cuja corrente de coletor é controlada pela corrente de base.
ALTA IMPEDÂNCIA DE ENTRADA
Para que seja possível o controle de corrente do canal n é necessário que se produza uma polarização reversa das junções da porta, provocando desta forma um aumento na região de depleção destas junções e em decorrência disto um