Artigo

TRANSISTOR BIPOLAR

CONSTRUÇÃO

O transistor é um elemento composto por duas regiões com dopagem do tipo N, separadas por uma com dopagem do tipo P (transistor NPN), ou por duas regiões com dopagem tipo P separadas por uma com dopagem tipo N (transistor PNP).

A figura abaixo, mostra as junções NPN e PNP, suas representações gráficas e os sentidos das correntes.

2 FUNCIONAMENTO

• O emissor é fortemente dopado; • A base é fracamente dopada; • O coletor apresenta uma dopagem intermediária; • VBB polariza diretamente o diodo do emissor, forçando os elétrons livres do emissor entrarem na base; • A base estreita e levemente dopada da “tempo” para que a grande maioria dos elétrons alcancem o coletor e cheguem ao positivo da fonte VCC, através de RC; • Uma parte ( IB sat ,ou seja a corrente na base deve ser um pouco maior que a corrente mínima necessária para a saturação (usual ( 10% maior).

O transistor se comporta como uma chave fechada . A tensão entre coletor e emissor é praticamente zero (VCE sat).

A corrente entre coletor e emissor está limitada pela resistência RC. Ela deve ser menor que a corrente de saturação ICsat = ICmáx.

Exemplo:

Dados: Transistor de silício; ICS = 50mA; IBS = 2mA; VCEO = 20V; VCES = 0,3V; VBES = 0,7V. Calcular RB e RC máximo e mínimo, sabendo que a carga consome 20mA quando a tensão VF = 4V no mínimo.

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8 RETA DE CARGA DO TRANSISTOR

O ponto de operação do transistor também é denominado de ponto de trabalho ou ponto quiescente. Quando em operação, sobre o transistor são aplicadas tensões e correntes, de modo a estabelecer uma polarização, ou seja ou ponto de operação. São os resistores de polarização que estabelecem este ponto de trabalho. São eles também que estabelecem a reta de trabalho do transistor ou reta de carga. Supondo a