analogica

IF-UFRJ
Elementos de Eletrônica Analógica

Mestrado Profissional em Ensino de Física
Prof. Antonio Carlos Santos

Aula 7: Polarização de Transistores
Este material foi baseado em livros e manuais existentes na literatura
(vide referências) e na internet e foi confeccionado exclusivamente para uso como nota de aula para as práticas de Laboratório de Física
Moderna Eletrônica. Pela forma rápida que foi confeccionado, algumas partes foram extraídas quase verbatim de outros autores citados na lista de referências. Trata-se de um texto em processo de constante modificação. Por gentileza, me informe os erros que encontrar.

Teoria – O Transistor é basicamente constituído de três camadas de materiais semicondutores, formando as junções
NPN ou PNP. Essas junções recebem um encapsulamento adequado, conforme o tipo de aplicação e a ligação de três terminais para conexões externas.

emissor

coletor

emissor
N

P

N

P

N

P

coletor base base

A corrente de emissor (IE) é composta pela soma das correntes de base (IB) e de coletor (IC). Analogamente, observamos que, a tensão entre coletor-emissor (VCE) é composta pela soma das tensões base-emissor (VBE) e base – coletor (VCB). Portanto, podemos escrever
IE = IB + IC
VCE = VBE +VBC (NPN)

SIMBOLOGIA
NPN

PNP

coletor

coletor

base

base emissor emissor

Sem polarização, uma junção NPN ou PNP, apresenta duas barreiras de potencial, idênticas àquela vista na junção PN de um diodo semicondutor. Para movermos os elétrons e lacunas nos materiais, é necessária a colocação de baterias que poderão deixar cada junção direta ou reversamente polarizada. Vamos a seguir, analisar todas as possibilidades de polarização, destacando o caso mais vantajoso :

19

o

1 caso – as duas junções reversamente polarizadas

N

P

N

N

P

P

Neste caso, não há circulação de corrente, pois as duas junções estão reversamente polarizadas, deixado o dispositivo
em