Calcular Energia Para Formacao De Lacunas

cerâmicas e não de materiais metálicos? 7) Qual a diferença entre estrutura atômica e estrutura cristalina? 8) O que significa alotropia? 9) Supondo-se que uma substância se cristalize com o reticulado cúbico simples (CS),mostrado na figura abaixo. Calcular o fator de empacotamento atômico 10) 11) O que se entende por “defeito” ou imperfeição cristalina? Quais são os defeitos cristalinos planares (de superfície) e como estes podem interagir com as discordâncias? 12) Determine o…

cristal é determinada pela natureza das forças interatômicas e pode ser calculada, segundo modelo proposto por Orowan, supondo que duas superfícies novas (com energias de superfície associadas) devem ser criadas no interior do cristal. Ao se tentar separar um átomo de sua posição de equilíbrio a0 é necessário superar uma barreira de energia potencial e exercer uma força σmax : σ max ≅ E π sendo E o módulo de Young Cálculo da resistência teórica de um cristal…

elementos no alumínio: a) cobre b) manganês 11) O que é um defeito cristalino? E Por que os defeitos são importantes na determinação de algumas propriedades físicas e mecânicas? 12) Calcular a o número de lacunas Nv por metro cúbico para o ferro a 850°C. A energia de ativação para formação de lacunas é de 1,08 eV/átomo. Massa atômica=55,85 g/mol e massa específica (ρ) = 7,65 g/cm3 13) Ouro forma solução sólida com Prata. Qual o número de átomos de ouro por cm3 para uma liga…

tetravalente. Fig. 4 – níveis de energia Fonte: Malvino (1986, p24) Prof. Maurício Marsarioli Página 2 DIODO SEMICONDUTOR FAC-3 Você também deve se lembrar que para retirar um elétron mais próximo do núcleo é necessário fornecer maior energia para que isso aconteça se comparado com a mesma ação para os elétrons mais distantes. Por outro lado, para que um elétron possa estar nas camadas superiores é necessário que ele possua mais energia do que os elétrons das camadas mais

valência do átomo de Silício. Cabe também mencionar as lacunas ou buracos que são o lugar deixado pelo elétron quando abandona a camada de valência e torna-se um elétron livre, isto é o que se conhece com pares elétron-lacuna e sua criação se deve à temperatura segundo as leis da termodinâmica. Em um semicondutor puro (intrínseco), à temperatura constante, a densidade de lacunas (p) é igual à densidade de elétrons livres (n).1 :p.23-25 É possível calcular a densidade (concentração) de…

ponto Imperfeições de linha Imperfeições de superfície IMPERFEIÇÕES DE PONTO (defeitos pontuais) LACUNAS O defeito pontual mais simples é a lacuna (do inglês: vacancy), ou seja a ausência de um átomo em uma posição atômica originalmente ocupada por um átomo. As lacunas constituem O ÚNICO tipo de defeito que está em equilíbrio com o cristal. Assim o n° de lacunas para uma dada quantidade de material é função da temperatura de acordo com a equação: Nv = N exp

Alteração de reticulado com temperatura ou pressão --- só cerâmico. 3- Calcular a fração de lacunas (Nv/N) para o cobre na temperatura ambiente (293 K) e na temperatura de 1350 K. Assuma uma energia de ativação de 0,9 eV/átomo para as duas temperaturas. Dados: A temperatura de fusão do cobre puro é 1356 K. k = 8,62 x 10-5 eV/átomo. K R: Nv – (Numero de lacunas) N – Numero total de átomos Nv/N –(Fração de lacunas) = e^(-Q/K.T) = Nv/N = exp (Q/K.T) Nv/N…

Pontuais – Lacunas Defeitos de lacunas ou vacâncias ocorrem quando existe uma lacuna ou sítio vago na estrutura cristalina. Estes defeitos aumentam a entropia ou aleatoriedade do cristal. Imperfeições em Sólidos 4.2. Defeitos Pontuais – Lacunas O número de lacunas (Nv) em equilíbrio para uma dada quantidade de material é dependente da temperatura absoluta (T), Nv = N e  Qv  −   kT  Onde N é número total de sítios atômicos, Qv é a energia necessária para a…

mais facilidade. É possível que materiais semicondutores absorvam, a partir de fontes externas, energia suficiente para quebrar ligações covalentes, o que aumenta o número de elétrons livres e diminui a resistividade elétrica do material. Assim sendo, os semicondutores puros têm uma variação muito grande de sua resistividade com a variação da temperatura, luz ou qualquer outro tipo de energia irradiante e quanto maior for a temperatura maior será o numero de elétrons livres na…

mais facilidade. É possível que materiais semicondutores absorvam, a partir de fontes externas, energia suficiente para quebrar ligações covalentes, o que aumenta o número de elétrons livres e diminui a resistividade elétrica do material. Assim sendo, os semicondutores puros têm uma variação muito grande de sua resistividade com a variação da temperatura, luz ou qualquer outro tipo de energia irradiante e quanto maior for a temperatura maior será o numero de elétrons livres na…