A Revolução Micro

A REVOLUÇÃO MICRO-ELETÔNICA

A pesquisa de semicondutores é feita desde séculos passados. Em 1847, F. Braun inventou um retificador feito de cristal PbS soldado com um fio metálico. Esse fio, porém, apresentava muita instabilidade e foi abandonado.
No início do século XX, com o avanço da física e o desenvolvimento da física quântica foi possível retomar idéias antigas. Em 1928, Lilienfield trabalhou na criação de um dispositivo de efeito de campo, que modulasse a condutividade de um semicondutor por meio de um campo elétrico, porém também não teve muito sucesso.
As teorias quânticas foram se aprimorando a partir dos anos 1930 e tornou-se possível entender conceitos que pudessem ajudar nas pesquisas sobre dispositivos semicondutores e então, em 1936, os Laboratórios Bell montaram uma equipe de pesquisadores para estudar o caso. O grupo conseguiu alguns progressos, mas por conta de outros interesses, a Bell Labs suspende as pesquisas. Mas em 1946 recriam uma equipe liderada pelo cientista W. Shockley.
No dia 30 de junho de 1948, a Bell Labs, em Nova Jersey, anunciaram a invenção do transistor. Três cientistas, William Shockley, Walter Brattain e John Bardeen criaram, em 23 de dezembro de 1947, um aparelho inicialmente de germânio, que amplificava a intensidade do sinal elétrico em 40 vezes. Como a princípio ninguém deu muita importância para isso e o exército americano queria manter a informação em sigilo, a invenção só foi divulgada seis meses depois e nem mesmo os jornais da época publicaram grandes matérias para explicar o invento. O mérito da criação veio em 1956, nove anos mais tarde, quando os três cientistas ganharam o prêmio Nobel de Física.
Considerada uma das maiores invenções do século XX, o transistor tem um papel muito importante na Revolução Micro-eletrônica. Seu lançamento iniciou o processo de miniaturização das tecnologias, substituiu as válvulas a vácuo de três pólos, barateou os equipamentos, além de deixá-los mais velozes. A partir de 1950,