Transistores

ASPECTOS CONSTRUTIVOS DE TRANSISTORES

TRANSISTORES DE JUNÇÃO POR LIGA

Os primeiros transistores encontrados comercialmente, nos primórdios de 1950, foram feitos pelo processo de junção de liga de germânio. Neste processo, as junções pn eram formadas pela liga de germânio com outro metal. Nos transistores pnp, duas pelotas de índio, que formariam as ligações do emissor e do coletor no transistor completo, foram colocadas sobre os lados opostos de uma fatia de germânio monocristalino do tipo n. A fatia de germânio, que formava a base, tinha aproximadamente 50 Pm de espessura. O conjunto inteiro era aquecido num gabarito ou modelo a uma temperatura de cerca de 500 °C, e parte do índio era dissolvida no germânio para formar germânio tipo p no resfriamento. Deste modo, duas junções pn eram formadas, conforme indicado na seção transversal simplificada na Figura 8.40. Os fios de ligação foram presos às pelotas de índio como fios condutores do emissor e do coletor, um tablete de níquel preso á base para proporcionar a ligação da base e montar o transistor sobre uma travessa, O transistor era depois encapsulado num invólucro de vidro ou de metal. Os transistores NPN eram fabricados por este processo usando germânio do tipo p para a base, e pelotas de chumbo-antimonio em vez de índio. O processo de junção por liga ainda é usado atualmente em alguns transistores de potência de audiofreqüência.

O desempenho de um transistor de junção por liga é limitado pela largura da base. Em particular, a freqüência de corte é inversamente proporcional á largura da base. Se o conjunto foi aquecido durante um tempo mais longo para permitir que mais índio se dissolva de modo que a junção pn penetre mais na fatia de germânio, há o risco de as junções se unirem e de não acorrer ação de transistor, Por causa da dificuldade de controlar a largura da base com, a precisão maior do que a da espessura da fatia original, a largura da base foi mantida em aproximadamente l0 Pm. Isto deu aos