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Memória em Microcomputadores
Tecnologias de Memória
Capacidade de Memória (memory capacity): número de células multiplicado pelo número de bits por célula. Exemplo: Uma pastilha de memória de 1 M posições de 8 bits tem um capacidade de 8 Mbits.
Largura da Memória (memory width): número de bits de cada posição da memória.
Exemplo: A pastilha de 1M posições de 8 bits cada tem uma largura de 8 bits, ou seja, de um byte.
Tecnologias de Memória
(memórias de estado sólido)
Duas classes:
Memórias voláteis (RAM)
Memória não-voláteis (ROM)
As memórias voláteis são dispositivos de armazenamento que, diferentemente das memórias não voláteis, perdem a informação armazenada se a fonte de alimentação for retirada.
A memórias não voláteis são, pela tecnologia de hoje, memórias apenas de leitura (ROM - read only memory).
Já as voláteis são memórias de escrita e leitura, também denominadas memórias RAM (random access memory).
Memória RAM
RAM (random access memory): Memória volátil de leitura e escrita. O tempo de acesso a uma célula de armazenamento independe de sua localização (endereço).
Dois tipos básicos:
DRAM (dynamic RAM)
SRAM (static RAM)
DRAM (dynamic random access memory):
As células de memória são, em essência, formadas por capacitores. O armazenamento ou não de carga define o estado lógico.
Os capacitores responsáveis pelo armazenamento da informação tendem a se descarregar com o tempo. Assim, é necessário renovar (refresh) de tempos em tempos a informação armazenada na memória. Os ciclos de renovação (refresh cycles) competem com os ciclos de acesso à memória.
SRAM (static random acess memory)
As células de armazenamento são implementadas na forma de flip-flops tradicionais. São implementadas, tipicamente, por 6 transistores.
SRAM: célula típica formada por 6 transistores

SRAM x DRAM
DRAM:
Maior densidade (maior número de células por área de silício - implementação do capacitor com apenas um transistor); o menor custo; o mais lenta;