Eletrônica Geral e Industrial

Unidade 4
Transistores Bipolares e Amplificadores
Transistorizados

CEFET-MG – Eletrônica Geral e Industrial - Prof. David Mattos de Andrade Ávila

Conteúdo da Unidade
1 – Introdução
2 – Funcionamento
3 – Configurações do TJB
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1 – Introdução:

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1 – Introdução:

Nome:
TJB (Transistor de Junção Bipolar) ou BJT (do inglês Bipolar
Junction Transistor)
O termo Bipolar advêm do fato de a corrente elétrica no TJB ser formado pelos dois tipos de portadores existentes quanto à carga elétrica: positivos (lacunas) e negativos (elétrons).
Em contraste, existe um outro tipo de transistor no qual a corrente elétrica é formada apenas por um tipo de portador (lacuna ou elétron), sendo este portanto, um transistor unipolar.

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1 – Introdução:
Tipo NPN

Tipo PNP

C

C

N

B

P

coletor

P

Estrutura:

coletor base N

base

P

emissor

N

emissor

B

E

E

Símbolo:

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1 – Introdução:

Características construtivas:
1 – A largura da Base é a menor possível;
2 – O coletor é consideravelmente maior que o emissor de forma a facilitar a dissipação de potência;
3 – A densidade de dopagem do Emissor é muito mais elevada que a da Base e a do Coletor.

coletor base emissor

Emissor: muito dopado
Base: pouco dopada
Coletor: dopagem “normal”

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1 – Introdução:

Operação:
Um dos três terminais do transistor é usado como terminal de controle. Os outros dois terminais são usados como terminais da malha onde a corrente será controlada.
Portanto, o terminal de controle é usado para