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INTRODUÇÃO: no final de 1947, uma das maiores invenções já realizadas pelo homem, revolucionaria completamente a eletrônica; o transistor bipolar de junção. Seus inventores, Dr. John Bardeen, Dr. William Schocley e Dr. Walter H. Brattain ganharam por esse trabalho, o prêmio Nobel em 1956.

ESTRUTURA E SIMBOLOGIA: o transistor bipolar de junção é um dispositivo de três terminais ligados a uma região interna formada por um cristal de material semicondutor extrínseco, dividido em três partes, com características construtivas e elétricas distintas, sendo duas de mesma polaridade P ou N e a outra de polaridade contrária, isto é, o transistor bipolar pode ser do tipo PNP ou NPN.

A estrutura de camadas é apresentada ao lado. Pode ser verificado que este semicondutor possui três camadas (podendo ser NPN ou PNP) e duas junções (J1 e J2)

Os três terminais de um transistor bipolar recebem o nome de emissor, base e coletor. A figura a seguir mostra a estrutura do transistor bipolar e seus símbolos.

Do emissor são emitidos os portadores de corrente, elétrons ou lacunas, dependendo da polaridade do transistor, com o sentido de atingirem o coletor onde serão coletados, passando através da região de base, que tem a função de controlar o fluxo.
Cada terminal possui uma característica própria.
Emissor - região maior nível de dopagem do transistor. É do emissor de onde partem os portadores de carga, em outras palavras, é o emissor quem define o sentido da corrente, por isto ele possui uma flecha no seu terminal no símbolo do transistor.
Base - região mais estreita e com nível médio de dopagem. Comparada as outras regiões, a base se parece como uma película muito fina. Serve para fazer com que o transistor comece a funcionar.
Coletor - região de maior área e menos dopada do transistor. O coletor tem a maior área, pois é nessa região onde há maior dissipação de energia por efeito Joule. Para transistores de maior potência a região de coletor está ligada a cápsula do