diodo
Um diodo semicondutor consiste numa junção de uma camada de semicondutor tipo n com outra de semicondutor tipo p. Num semicondutor tipo n, os portadores de carga - ou seja, as partículas que participam da condução elétrica – são elétrons livre. Essa situação é obtida com a adição de um dopante valência 5 (5 elétrons no último nível) em um material valência 4 (4 elétrons no último nível) fazendo com que o 5º elétron, que não participa das ligações da rede seja o portador. Num semicondutor tipo p, são buracos livres, de carga positiva os portadores de carga. Essa situação é obtida com a adição de um dopante valência 3 (3 elétrons no último nível) em um material valência 4 (4 elétrons no último nível) fazendo com que o buraco causado pela ausência de um elétron seja o portador.
Em uma junção de materiais tipo n com tipo p, os buracos e os elétrons livres difundem-se em sentidos opostos. Essa recombinação deixa uma região desprovida de portadores chamada região de depleção. Esse remanejamento de cargas gera um campo elétrico do material n, que perde elétrons para o material tipo p que ganha elétrons.
Ao ser conectada a uma fonte de força eletromotriz, uma junção p-n permite o fluxo de corrente apenas em um sentido – da região p para a região n. Considere a situação em que um diodo está conectado a uma fonte de forma que a região tipo p está em um potencial mais alto que a tipo n. Essa configuração é chamada de polarização direta. A fonte, continuamente, injeta elétrons na região n, ao mesmo tempo em que remove outros