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Cálculos
Análise DC
I=10/12200 = 819,6microA
VB=2200*819,6microA=1,80V
VE=1,1V
IE=1,1/1000=1,1mA
IE=IC
VC=10-3900*1,1mA=5,71V
Análise AC
Hfe= 100( Segundo datasheet)
R’e=25mv/IE=25mv/1,1mA=22,72 Ohms
Zbase=Hfe*R’e=22,72*100=2272Ohms
Zentrada= R1//R2//Zbase=1005 Ohms
IG=20mV/(1000+1005)=9,97microA
VB=IG*Zentrada = 10miliV
Rc=3900//1500=1083,33
A= Rc/r’e = 1083,33/22,72=47,68
A=Vsaida/Ventrada
Vsaida=A*Ventrada=47,68*10miliV=0,47V

Dados
Valores CALCULADO B E C MEDIDO
B E C Zent
CC 1,80 1,1V 5,71 1,36 388mili 370mili 1005Ohms
CA 10miliV 0 0,47V 11,5mili 0,001 345mili

Objetivos
O objetivo deste experimento é evidenciar as características do transistor com realimentação do emissor e do coletar.Observar também suas possíveis aplicações e as diferenças da polarização de base da polarização r através da medição de IC , IB ,IE, VC e VE de 3 circuitos.

DADOS OBTIDOS

• Circuito 1
Transistor Calculado Medido IB IC VC IB IC VC
1 52,96Micro 10,59Mili 7,20V
2 52,96Micro 10,59Mili 7,20V
3 52,96Micro 10,59Mili 7,20V

• Circuito 2
Transistor Calculado Medido IC VC VE IB IC VC
1 6,38Mili 6,38V 0,64V
2 6,38Mili 6,38V 0,64V
3 6,38Mili 6,38V 0,64V

• Circuito 3
Transistor Calculado Medido IB IC VC IB IC VC
1
2
3

CALCULOS
FIGURA 1
Hfe= 200 (Segundo Datasheet)
VBB-270K*Ib-VBE=0
15-270k*IB-0,7=0
IB=52,96 Micro Amperes
IC= Hfe*IB=10,59*10-3ª
VC= RC*IC= 680*10,59*10^-3= 7,20V
FIGURA 2
15-470K*IB=0
IB=31,91*10-6
IC=IB*hFE=31,91*10^-6*200=6,38*10-3
VC=6,38*10-3*1000=6,38V
VE=100*(6,38*10-3+31,91*10*-6)=0,64V

CONCLUSÃO
Com este experimento pudemos evidenciar as 3 formas de polarização do transistor e assim chegarmos a conclusão de possíveis utilizações de cada polarização.Para a polarização de base,pode ser