Apresentação

Transistor de Efeito de Campo
Metal-Óxido Semicondutor

MOS Field-Effect
Transistors (MOSFETs)

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1

MOSFETs: Tipos
●

Tipo enriquecimento (ou indução)

–Canal N
–Canal P
●

Tipo empobrecimento (ou depleção)

–Canal N

–Canal P

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Estrutura física
MOSFET tipo enriquecimento canal N

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Tensão positiva aplicada à porta de um MOSFET tipo enriquecimento. 4

Transístor MOSFET com vGS > Vt e com vDS . O dispositivo se comporta como um resistor controlado por tensão ( vGS)
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Características iD–vDS do MOSFET como resistor controlado por tensão.
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Operação do MOSFET com vDS alto. O canal começa a adquirir uma forma de estrangulamento próximo ao dreno. A resistência do dispositivo aumenta com o aumento de vDS , para um vGS constante e maior que Vt.
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O efeito do aumento de vDS: : o canal vai se estrangulando perto do dreno. Com vDS acima de vGS – Vt , o aumento da tensão de dreno praticamente não causa mais efeito.
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iD versus vDS com vGS > Vt.

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Símbolos

MOSFET tipo enriquecimento.

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Regiões de operação.

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Regiões de operação.

Região de corte

𝑣 𝐺𝑆 < 𝑉𝑡

Região triodo

𝑣 𝐺𝑆 > 𝑉𝑡 , 𝑣 𝐷𝑆 < 𝑣 𝐺𝑆 − 𝑉𝑡

Região de saturação

𝑣 𝐺𝑆 > 𝑉𝑡 , 𝑣 𝐷𝑆 ≥ 𝑣 𝐺𝑆 − 𝑉𝑡

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Característica iD–vGS de um MOSFET canal N tipo enriquecimento.

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Modelo para grandes sinais na região de saturação.

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Regiões de Operação

Níveis de tensão dos terminais de um MOSFET canal N tipo enriquecimento e suas regiões de operação. 15

O efeito da modulação de comprimento de canal

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Equações do MOSFET canal N

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Modelo para grandes sinais

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