Transistor

Transistores de Alta Freqüência ¾Os transistores foram desenvolvidos logo após o final da Segunda Guerra Mundial e eram usados em produtos de consumo. ¾Os primeiros se limitavam a aplicações de som e baixas freqüências. ¾Com o avanço da tecnologia, logo surgiram os transistores para receptores de VHF, no início da década de 1960. As aplicações em microondas ficariam para mais tarde. ¾As limitações para altas freqüências eram decorrentes de fatores como: 9Velocidade de saturação dos elétrons; 9Espessura da estrutura básica (afetava o tempo de trânsito); 9Resistências e capacitâncias que se manifestavam de forma dispersa, incluindo as decorrentes do encapsulamento. Transistores de Alta Freqüência ¾As principais soluções encontradas pela engenharia foram: 9Desenvolvimento de novos materiais, como o arsenieto de gálio; 9Nova geometria interna das camadas; 9Novas formas de construção e encapsulamento. ¾Nos dias atuais os transistores já conseguem operar na faixa de dezenas de GHz, podendo chegar à ordem de 50 GHz, comercialmente, com características de baixo ruído; ¾Importantes parâmetros dos transistores podem ser obtidos a partir das equações de Johnson. Transistores de Alta Freqüência Transistores de Alta Freqüência Transistores de RF - Bipolares Equações de Johnson ¾Equação I – Limite voltagem – freqüência Vmax Emax vs = 2π l 2π   v 9Vmax – voltagem máxima possível (Emax / lmin) 9l – comprimento do material 9vs –…

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Estrutura do dispositivo e operação física Fig. 5.1 Designação: transístor NPN Estrutura simplificada de um BJT (três regiões semicondutoras) Designação: transístor PNP Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores Fig. 5.2 ELECTRÓNICA I 1 TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Constituição: Dispositivo com três terminais emissor, base e colector 2 junções: junção emissor-base (EBJ) e junção colector-base (CBJ) •…

Transistor Bipolar Introdução Entre 1904 (inversão da válvula) e 1947 (inversão do transistor), a válvula era sem dúvida o dispositivo eletrônico de maior interesse da indústria de eletrônica. Porém em 23 de dezembro de 1947, nos Laboratórios da Beel Telephone, Jonh Bardeen e Walter H. Brattain, apresentavam um dispositivo de estado sólido de três terminais o transistor de junção. Suas vantagens sobre a válvula eram inegáveis. Em setembro de 1951, a Bell anuncia a…

O TRANSISTOR BIPOLAR O transistor bipolar foi criado no início dos anos 50 para substituir a válvula, que desenvolvia a mesma função do transistor, porém com um consumo de energia muito maior que o consumo deste novo componente. O transistor bipolar é um componente eletrônico, de funcionamento não linear, construído a partir de material semicondutor dopado, assim como os diodos. Entretanto, o transistor possui três terminais (regiões) e, portanto, 2 junções. Seus terminais são…

ÍNDICE2 TRANSISTOR BIPOLAR FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP AS CORRENTES NO TRANSISTOR MONTAGEM BÁSICA COM TRANSISTOR3 POLARIZAÇÃO DE TRANSISTORES RETA DE CARGA TRANSISTOR COMO CHAVE O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO EM EMISSOR COMUM REGRAS DE PROJETO EXERCÍCIOS EXERCÍCIOS COM RESPOSTAPROF. SANTANNA Página 2 2 TRANSISTOR BIPOLAR Existe uma infinidade de sinais de interesse em…

Transistores Bipolares Conceitos Gerais Analogia da construção do transistor utilizando diodos O emissor é densamente dopado, sua função é emitir, ou injetar elétrons na base. A base é levemente dopada e muito fina, ela permite que os elétrons injetados pelo emissor passem para o coletor. O nível de dopagem do coletor é intermediário ao nível da base e do emissor. O coletor coleta elétrons que vêm da base e do emissor, este ponto é a…

Transístores Bipolares 1 de 13 http://www.arvm.org/exames/trasistor.htm Transístores Bipolares 1 - A Revolução Com o passar dos anos, a indústria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um dispositivo formado por três camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja, um dispositivo…

do circuito. 2.4) Comparar e concluir com os resultados teóricos. 8 ELETRÔNICA BÁSICA 2 – Prof. Kobori. TRANSISTORES BIPOLARES 1951 é a data de início da Eletrônica Transistorizada, um dispositivo semicondutor capaz de amplificar sinais elétricos, como sinais de rádio e TV, que até então era papel das válvulas. O Transistor bipolar substitui as válvulas, e entre várias vantagens , podemos citar: a)pôr ser um dispositivo semicondutor ele pode durar indefinidamente, b)…

Transistores BJT Introdução Professor: Alexandre Pereira do Carmo Email: alexandre.carmo@ifes.edu.br Sumário ● Introdução aos Transistores Bipolares de Junção (BJT) ● Polarização de Transistores ● Transistor como chave 2 Transistores Bipolares de Junção ● BJT – Transistor Bipolar de Junção ● Inventado em 1951 ● Dispositivo de amplificação e comutação que substitui as válvulas eletrônicas ● ● Miniaturização e baixo consumo de potência Hoje está presente em praticamente…

INFORMÁTICA UNIDADE ACADEMICA DE ENGENHARIA ELÉTRICA Dispositivos Eletrônicos SÉRIE DE EXERCÍCIO #7 (1) Em um transistor MOSFET, canal N tipo enriquecimento, circula uma corrente de dreno ID = 6mA quando se aplica uma tensão VGS entre a porta (Gate) e a fonte (Source) igual a 8V. Considerando que a tensão de threshold Vt = 3V. (a) Qual deverá ser corrente de dreno se o ponto de operação for modificado para VGS=6V? (b) Determine o valor da constante K para este transistor. (c) Qual deve…