Analise De Transistores

......................................................27 SENSOR INFRAVERMELHO.........................................................................28 TRANSISTORES..........................................................................................28 TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO.........................................29 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO...........................................30 JFET.....................................................................................

12V com carga de 6 Ω Figura 21 - Simulação de Curto Circuito 8 9 11 11 18 19 19 20 20 21 22 23 23 24 24 25 25 26 25 27 28 Lista de Tabelas Tabela 1: Características CI LM723 Tabela 2: Esquema dos Pinos do LM 723 Tabela 3: Características do transistor TIP122 Tabela 4: Resistência térmica de encapsulamento/dissipador Tabela 5: Componentes Utilizados 10 12 16 17 18 SUMÁRIO 1. INTRODUÇÃO.................................................................................................... 2.1.

Circuito eletrônico 5 3.2- Descrição dos materiais utilizados 6 3.2.1- Capacitor 6 3.3- Montagem do experimento 6 3.3.1- Capacitor 6 3.3.2- Circuito eletrônico 7 4- Resultados 8 4.1- Funcionamento 8 4.2- Medições 8 5- Análise dos Resultados 9 6- Conclusão 10 7- Agradecimentos 11 8- Bibliografia 12 1- Objetivo A efetivação deste projeto visa o conforto e, até mesmo, a segurança, partindo do princípio que, com a implementação do mesmo, a tarefa de…

15 • Transistores Bipolares O termo bipolar vem do fato de que buracos e elétrons participam do processo de injeção no material opostamente polarizado. Ø Símbolo NPN Ø Função PNP – Controlar a corrente elétrica que passa por ele. IC função de IB C IC B IB E Ø Construção 0,15’’ 0,0001’’ E N+ C P- N- B VEE VCC 16 Ø Operação do transistor • O transistor PNP operando com a região BE diretamente polarizada e com…

Conditions): Existem quatro opções para especificar as condições iniciais. Deixar que as condições iniciais sejam automaticamente determinadas pela simulação, impor condição inicial igual a zero, definida pelo usuário e calcular o ponto de operação DC. Em Analise dos Instrumentos (Instrument Analysis) temos: Tempo Inicial (Inicial time): o mais comum é especificar zero. Tempo Final (End time): o valor default é muito grande em termos de forma de onda significa que a mesma ficará se…

INVERSOR FLYBACK A DOIS TRANSISTORES CONTROLADO POR UM DISPOSITIVO FPGA PARA OBTER MPPT EM SISTEMAS FOTOVOLTAICOS FERNANDO N. MARQUES, LUIZ CARLOS DE FREITAS, ERNANE A. A. COELHO, JOÃO BATISTA VIEIRA JR., VALDEIR J. FARIAS Núcleo de Eletrônica de Potência - NuEP, Departamento de Engenharia Elétrica, Universidade Federal de Uberlândia Av. João Naves de Ávila, 2121, Campus Santa Mônica, Bloco "3N" CEP 38400-902, Uberlândia, MG, Brasil, +55-34-32394166 fnm765@yahoo.com.br,…

Análise de Dois Circuitos Amplificadores com Transistores Bipolares de Junção Francisco Sousa de Oliveira Neto Universidade Federal do Ceará – UFC Centro de Tecnologia – CT Departamento de Engenharia Elétrica – DEE fsoneto@yahoo.com Resumo  Neste artigo é feita a análise CC e CA de dois circuitos amplificadores com transistores bipolares de junção (TBJ). A partir de alguns parâmetros especificados para o TBJ BC546A, os componentes necessários para a polarização na região…

................................................................................................ 5 Desenvolvimento ....................................................................................................................... 6 Testes e Análise dos Dados..................................................................................................... 10 Testes sem a maquete.......................................................................................................…

VIEIRA NACIF RAFAEL ANGELIN SILVA Relatório de experiência com transistores 5 1 INTRODUÇÃO O Transístor Bipolar de Junção, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas por duas Junções p-n. A Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V 0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transístor de Efeito de Campo, TEC (FET), no qual a…

...................................................27 SENSOR INFRAVERMELHO.........................................................................28 TRANSISTORES..........................................................................................28 TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO.........................................29 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO...........................................30 JFET...................................................................................