O inversor CMOS

O inversor CMOS

A estrutura do circuito mostra o inversor CMOS. Essa consiste de um par de transistores MOSFET complementares chaveado por uma tensão vI. Embora não indicado o terminal da fonte de cada transistor esta conectado ao seu respectivo corpo, eliminando, portanto, o efeito de corpo (aumento de VT com a tensão vGS). Na prática as tensões de limiar VTn e VTp são iguais em módulo e situa-se na faixa de 0,2V a
1V. Para tecnologias mais atuais que utilizam pequenas dimensões de
W e L (na faixa de 0,1µ a 0,5µ) os valores de limiar são mais próximos de 0,2V.

a) O inversor CMOS e b) sua representação como um par de chaves controladas de forma complementar

Como indicado cada chave é modelada por uma resistência finita, que é a resistência entre o dreno e a fonte do respectivo transistor, calculada próximo de | vDS| = 0:

Onde k
`
n = µn Cox e k` p = µp Cox são os parâmetros de transcondutância do processo, sendo, µn e µp as mobilidades do portadores (dos elétrons e buracos) no canal n e p respectivamente, e Cox é a capacitância por unidade de áreas dos transistores.

MOSFET-E – Tipo Intensificação – Como chave
 Inversor CMOS
– Circuitos MOS complementares (CMOS);
– Quando um componente está ligado;
– O outro esta desligado e vice-versa;
– A tensão de saída é sempre oposta a da entrada;
– Circuitos em séria → corrente fuga (nanoampéres).

MOSFETs com Simetria Complementar (CMOS)

É bastante comum, principalmente em circuitos digitais, conectar transistores MOS tipo P e tipo N internamente a um dispositivo complementar ou CMOS. A Figura 3a mostra a conexão básica do CMOS. A entrada é conectada a ambas as portas dos transistores MOS tipo P e tipo N. Uma entrada positiva desliga o MOS tipo P, liga o tipo N, com a saída caindo para 0 V. Uma entrada de valor baixo ligará o dispositivo MOS tipo P e desligará o tipo N, com a tensão de