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Thyristor controlado-MOS (MCT).

Thyristor controlado-MOS (MCT) combina as características de um tiristor regenerativa de quatro camadas e estrutura do portão MOS. O circuito equivalente é mostrada na figura seguinte (b), e o símbolo em (a). A estrutura NPNP pode ser representado por um transistor NPN Q1 e Q2 um transistor. A estrutura do portão MOS pode ser representado por um canal p-MOSFET M1 e o canal n MOSFET M2.
Por se tratar de uma estrutura NPNP, em vez da estrutura de um SCR PNPN normal, o ânodo serve como o terminal de referência em relação ao qual todos os sinais de porta são aplicados. Suponha que o MCT está em estado de bloqueio direto e uma tensão negativa é VGA aplicada. Um canal, p (ou uma camada de inversão) é formado no material n dopado, fazendo furos fluir lateralmente p E2 emissor do Q2 (fonte de canal S1 MOSFET M1 p) através do canal para a base p p Ql B1 (que é de drenagem do MOSFET D1 M1, p canal). Lacunas Este fluxo forma para a base atual Q1 npn transistor. Então e1 emissor n + E1 Q1, injeta elétrons, que são coletados na base n B2 (eo coletor n C1), que faz com que o emissor p E2 injetar buracos na base n B2, de modo que ele se transforma no PNP transistor Q2 e envolve o MCT. Em breve, uma VGA ativa portão negativo MOSFET M1 para p canal, proporcionando assim a corrente de base do transistor Q2.

Suponha que o MCT está na condução do Estado, e uma tensão positiva é aplicada VGA. Um canal n em material contaminado P é então formado, fazendo-a fluir lateralmente base de electrões n B2 Q2 (S2 fonte do MOSFET M2 canal n) através do canal emissor n + n fortemente dopada Ql (D2 dreno n canal MOSFET M2 +). Este fluxo de elétrons desloca a corrente de base do transistor Q2 PNP para que sua junção base-emissor é desligado, e não haverá vazios disponíveis para a coleta na base de Q1 B1 p (p C2 eo coletor de Q2). A eliminação desta corrente buraco na base p B1 faz com que o transistor Q1 NPN é desligado, eo MCT retorna ao seu estado de