trasistor

Por volta de 1926, o comportamento dos elétrons nos sólidos já havia sido quantificado pelo físico austríaco Schrodinger, permitindo, assim unificar todos os enigmáticos fenômenos do estado sólido observados até então.
Assim, enquanto os teóricos se preocupavam em explicar matematicamente conceitos sobre o elétron, teoria de bandas, valências, etc, cientistas mais práticos - Mevil F. Mott, na Inglaterra, Alexander Davydov, na União Soviética e, como já visto Walter Schottky, na Alemanha - empregando os mais diversos tipos de cristais tentavam experimentalmente explicar o mecanismo da retificação.

De uma forma geral todos concordavam que a retificação ocorria:
Quando o material condutor tornava-se vacuidade de cargas na junção, que criavauma barreira para o equilíbrio do fluxo de elétrons através da mesma. A aplicação de um campo elétrico reduzindo a ação da barreira permitiria o fluxo de elétrons, enquanto que, de forma inversa ocorreria menor depleção de cargas no material semicondutor e, assim, aumentando a barreira ao fluxo dos elétrons.
Como visto, desde o final do século XIX, os esforços para se conseguir um dispositivo amplificador estado sólido exeqüível, foi a saga de muitos inventores, engenheiros e cientistas.
Entretanto, foi somente em 1948 que uma equipe de físicos, trabalhando nos laboratórios Bell, EUA, William Shockley, John Bardeen e Walter H. Brattain, definiram numa base teórica que em tal tipo de dispositivo semicondutor, o fluxo da corrente enviada através de dois contatos podia ser controlada por meio de uma corrente, enviada por um terceiro contato semelhante ao comportamento encontrado numa válvula termiônica ou triodo.

Este dispositivo foi denominado de TRANSISTOR, um acrossemia para: TRANSFERÊNCIA e RESISTÊNCIA.
Em termos de um circuito elétrico, o TRANSISTOR consiste num conjunto de dois diodos operando em oposição, de forma que a estrutura cristalina N-P-N é provida com três pontos de contatos ou eletrodos denominados