Trabalho EXPERIÊNCIA TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIAS
ESCOLA DE ENGENHARIA ELETRICA, MECANICA E COMPUTAÇÃO

RELATÓRIO DE LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA

EXPERIÊNCIA TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

1. Introdução
Este experimento, realizado dia 13/12/2013, tem o objetivo de mostrar os parâmetros do JFET(IDSS e VP)

2. Desenvolvimento no Laboratório

2.1 Medida de IDSS.
Primeiramente montamos o circuito da figura 1 conforme abaixo.

Girando o potenciômetro até que a tensão VG fosse zero medimos VAD.
Tabela 1
VG
VAD
ID=IDSS
0
7,05
7mA

2.2 Medida de VP
Para calcular VP ajustamos o potenciômetro de forma a achar VAD = 10mV. De acordo com a formula de ID em relação a VGS, encontramos VP quando ID=0, e como não conseguimos calcular VGS com essa condição, utilizamos um valor bem pequeno, no caso ID=10µA. Assim, VAD=10mV.

Tabela 2
VG=VP
VAD teorico
VAD medido
ID
2,55V
10mV
10,55mV
10µA

4.3 Configuração fonte comum.
Montamos o circuito da figura 2 conforme abaixo.

Com o gerador de sinais desligamos medimos:
Tabela 3
VA
VG
VD
VS
ID
ID teórico
15,09
0
7,93
1,52

1,42

Utilizando o gerador de sinais com amplitude de 100mV e frequência 1kHz medimos:
Tabela 4 – valores pico a pico vg vs vd vd/vg
Vd/vg teórico
100mV
72mV
956mV
-9,56
-11,2

Aumentando o sinal até começar a haver distorção no sinal no sinal de saída, medimos as tensões:

Tabela 5 vg vd
2,88
-8,64

4.4 Configuração fonte comum com RS (FC com RS) Desconectando-se o capacitor de 100µF medimos os valores.

Tabela 6 vg vs vd vd/vg
Vd/vg teórico
108mV
76mV
352mV
3,25
3,3

4.5 Configuração dreno comum com (DC) ou seguidor de fonte

Ligamos o capacitor de 100µF do dreno ao terra e medimos:

Tabela 7 vg vs vd vd/vg
Vd/vg teórico
106mV
80mV
4mV
0,75
0,7