Trabalho de Eletronica

MOSFET´s

Introdução

• Semicondutor FET de óxido metálico,ou Mosfet (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect);
• É um transistor unipolar, pois depende somente de um tipo de carga, ou as lacunas ou os elétrons;
• Ao contrário do JFET a porta é isolada do canal Ao contrário do JFET a porta é isolada do canal.
• É um dispositivo sensível a tensão

MOSFET´s – estrutura e símbolos

Tipo Depleção – normalmente ligado

• Fonte porque os elétrons livres entram no dispositivo nesse ponto.
• Dreno por onde os elétrons livres saem;
• Substrato ou corpo (o quarto terminal);
• Porta = gate - SiO2 = dióxido de silício = isolante (mesmo que vidro).

MOSFET-D – Tipo Depleção – Funcionamento

Modo de depleção

VDD força os elétrons livres a passarem pelo canal;
Quanto mais negativa a tensão da porta, menor a corrente do dreno;
Corrente da porta = de fuga, desprezível;
Deste modo o funcionamento do Mosfet é semelhante ao de um Jfet;

Modo de intensificação (crescimento)

Como a porta é isolada do canal, podemos aplicar uma tensão positiva à porta;
Que aumente o número de elétrons livres do canal;
Corrente da porta = de fuga, desprezível;
Resistência de entrada da ordem de 10.000 MΩ a 10.000.000 MΩ.

MOSFET-D – Tipo Depleção – Curvas

Curva de Dreno
– Região de saturação;
– Região ativa;
– Região de corte; Região de corte;
– Região de ruptura.

Curva de Transcondutância
– A equação para qualquer JFET é:
– A curva é um trecho de parábola; A curva é um trecho de parábola;
– Ponto Q --- VGS = 0 e ID = IDSS;

MOSFET-D – Tipo Depleção – Polarização

→ Polarização zero;

→ Como o Mosfets’s opera no modo depleção todos opera no modo depleção todos os métodos de polarização do os métodos de polarização do
Jfet’s podem ser