Tirist2 Diacs Scs Puts

T I R I S T O R E S
Dispositivos especiais: DIAC, SCS e PUT

DIAC O DIAC tem uma estrutura semelhante a do TRIAC, exceto que, não possui o terminal do gate (da abreviação inglesa DIODE AC)

Basicamente possui cinco camadas P e N. A figura a seguir ilustra sua estrutura interna e respectivos símbolos.

O termo anodo e catodo não se aplica ao DIAC, pois seus terminais são identificados como terminal 2 e terminal 1. Cada terminal opera como anodo ou catodo, de acordo com a polaridade da tensão aplicada.

Se T1 for mais positivo do que T2, a região N é ignorada e T1 operará como anodo; evidentemente T2 terá a região P ignorada e operará como catodo. Invertendo-se as polaridades, T1 passará a ser o catodo e T2 o anodo.

A figura a seguir mostra a curva característica de um DIAC.

VBO é a tensão de disparo do DIAC (break-over) e IBO é a corrente de disparo. Observa-se na curva característica uma simetria entre os valores positivos e negativos de tensão (1º e 3º quadrantes).

IH e VH representam a corrente de manutenção e tensão de manutenção respectivamente. Abaixo desses valores o DIAC entra no estado de não condução.

Acima de IH temos a operação permitida para o DIAC, onde o fabricante especifica como IP ou IFRM que é a corrente de pico máxima que ele pode suportar durante a condução (normalmente especificada para pulsos de duração da ordem de s). A figura a seguir mostra um DIAC BR100/03 fabricado pela Philips, com encapsulamento SOD27.

Especificações:
IFRM = 2A
VBO = 28 a 36V
IBO = 50A

SCS – Silicon Controlled Switch

A chave controlada de silício, da mesma forma que o SCR, possui quatro camadas PNPN, cujas características são idênticas, exceto por possuir dois gates, fazendo com que todas as regiões sejam acessíveis através de um circuito externo.

O SCS tem duas vantagens sobre o SCR. Primeira, em virtude das duas regiões de gate serem acessíveis, elas podem ser polarizadas de forma independente.

Segunda, uma vez que pode haver um