Termistor
613 palavras
3 páginas
INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de LisboaTeoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrónica
Díodos de Junção
INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa
Materiais Semicondutores
• Os materiais mais utilizados são ainda os do grupo IV da tabela periódica e desses o silício (Si) continua a ser o mais vulgar. • No estado sólido os cristais de silício devem a sua coesão às ligações covalentes. • Para formar estas ligações cada átomo disponibiliza os quatro electrões da camada externa e liga-se aos quatro átomos vizinhos. • Cada ligação covalente é composta por dois electrões partilhados por átomos vizinhos.
INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa
Estrutura planificada do silício
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa
Transporte de Carga num Semicondutor Intrínseco
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa
Transporte de Carga num Semicondutor Intrínseco
Seja: n a concentração de electrões livres. p a concentração de buracos.
Como a geração destes portadores de carga se faz aos pares tem-se que n=p. Nestas condições o semicondutor diz-se intrínseco e a concentração intrínseca representa-se por ni. Assim tem-se no semicondutor intrínseco n=p=ni(T).
INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa
Semicondutor dopado com impurezas dadoras
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+5
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO Universidade Técnica de Lisboa
Semicondutor dopado com impurezas dadoras
Cada átomo de impureza dadora tem cinco electrões na última camada. Estes átomos, para se integrarem na rede cristalina, cedem um electrão livre. No entanto não se forma qualquer buraco. A carga positiva +q, correspondente à falta