silício

Silício "extrínseco" tipo "P"
Um semicondutor tipo P é obtido através do processo de dopagem, adicionando-se um certo tipo de composto, normalmente trivalente, isto é, com 3 elétrons na camada de valência, ao semicondutor para aumentar o número de portadores de carga livres (neste caso positivas, lacunas).
O propósito da dopagem tipo P é criar abundância de lacunas. No caso do silício, uma impureza trivalente deixa uma ligação covalente incompleta, fazendo que, por difusão, um dos átomos vizinhos ceda-lhe um eletrão completando assim as suas quatro ligações. Assim os dopantes criam as lacunas. Cada lacuna está associada com um íon próximo carregado negativamente, portanto o semicondutor mantém-se eletricamente neutro. Entretanto quando cada lacuna se move pela rede, um protão do átomo situado na posição da lacuna se vê "exposto" e logo se vê equilibrado por um eletrão. Por esta razão uma lacuna comporta-se como uma carga positiva. Quando um número suficiente de aceitadores de carga são adicionados, as lacunas superam amplamente a excitação térmica dos elétrons. Assim, as lacunas são os portadores majoritários, enquanto os eletrões são os portadores minoritários nos materiais tipo P. Os diamantes azuis (tipo IIb), que contém impurezas de boro (B), são um exemplo de semicondutor tipo P que se produz de maneira natural.
Silício "extrínseco" tipo "N"
Um Semicondutor tipo N é obtido através do processo de dopagem em que se adiciona um composto, normalmente pentavalente, isto é, com 5 elétrons na camada de valência, ao semicondutor para aumentar o número de portadores de carga livres (neste caso negativos, elétrons livres).
Quando o material dopante é adicionado, este aporta seus elétrons mais fracamente ligados aos átomos do semicondutor. Este tipo de agente dopante é também conhecido como material doador já que cede um de seus elétrons ao semicondutor.
O propósito da dopagem tipo N é o de produzir abundância de elétrons livres no material. Para ajudar a entender