Questao B

Questão b)
VMOS e UMOS O transistor VMOS, nomeado após a ranhura em forma de V, é um MOSFET vertical com alta capacidade de manipulação atual, bem como de alta tensão de bloqueio. É constituída por uma camada n+/p difusão dupla, o qual é cortado por uma ranhura em forma de V como mostrado na Figura 7.8.2.a. A ranhura em V é facilmente fabricado por anisotropicamente decapagem uma superfície (100) de silício, utilizando uma solução de KOH concentrado. A ranhura em V é, em seguida, revestido com um óxido de porta, seguido pelo eléctrodo de porta. Tal como os cortes de ranhura em V através da camada dupla difusa, que cria dois transistores MOSFET verticais, uma em cada lado da ranhura. A combinação de ranhura em V com as camadas duplas difundidos resulta num curto gatelength, a qual é determinada pela espessura da camada do tipo p. A estrutura vertical permite a utilização de uma região de fraca dopagem de drenagem, o que resulta numa tensão alta de bloqueio. Uma outra estrutura alternativa é a estrutura Umos. Uma trincheira vertical é gravado embora a camada difusa dupla, resultando novamente em dois MOSFETs verticais.

DMOS A figura abaixo mostra uma estrutura MOS double-difusa (DMOS). O comprimento do canal, L, é controlada pela profundidade junção produzido pelas difusões tipo-p e n + debaixo do óxido de porta. L é também a distância lateral entre a junção p n + e a junção pn substrato. O comprimento do canal pode ser feita para uma menor distância de cerca de 0,5 micrómetros. Assim, este processo é similar à situação com relação à largura da base de um transistor bipolar duplo difusa. Quando uma bastante grande tensão positiva é aplicada à porta [> VTH], que vai causar a inversão da região de substrato p por debaixo da porta a tipo N, e a camada de inversão de superfície do tipo n, que é produzida irá agir como um realização de canal para o fluxo de elétrons a partir da fonte para drenar.

MOSFET de potência No MOSFET de potência. se a tensão porta-fonte