Quem tem medo dos IGBT
Em julho de 1981 (caramba, mais de 30 anos) escrevi um artigo para a saudosa Revista Antenna intitulado “Quem tem medo dos TEC?”.
A sigla TEC significa Transistor de Efeito de Campo é a tradução de Field Effect Transistor, mais conhecido por FET, foi uma “imposição” do Dr. Gilberto, então diretor da revista que tinha um sonho de ver a língua portuguesa como a língua oficial do Brasil (na teoria e na prática).
Quem quiser matar saudades e reler o artigo (talvez valha a pena) ele está disponível emhttp://www.4shared.com/office/SUF2LxLO/FET_Paullo_Brites_Antenna_1981.html(observação: meu nome não tem dois “l”; ainda bem!)
Digo que vale a pena reler o artigo porque ele servirá de base para o que trataremos nesta postagem, ou seja, os IGBTs. Comecemos destrinchando esta sigla que vem inglês e quer dizer Insulated Gate Bipolar Transistor, mas como nós estamos no Brasil, e em homenagem ao Dr. Gilberto, vou apresentar a sua tradução: Transistor Bipolar de Porta Isolada embora continue usando a sigla em inglês por ser a mais comum por aí. Nunca é demais lembrar que transistor bipolar nada mais é que o nosso velho conhecido transistor que no passado era o mais comercial e, portanto mais utilizado e acabou perdendo o “sobrenome” bipolar e ficou sendo conhecido apenas pelo “primeiro nome”, ou seja, transistor. Se você está pensando que o tal transistor bipolar é aquele que tem base, emissor e coletor e pode ser encontrado nas versões NPN ou PNP, parabéns! É isso mesmo. O termo bipolar se refere ao fato dele ser construído a partir de dois semicondutores com polaridades diferentes, ou seja, um tipo N e outro tipo P. Já os FETs e os MOSFETs são unipolares podendo ser construídos também em duas versões conhecidas como canal N e canal P. Uma das diferenças principais entre estes dois tipos de transistores é que, enquanto os bipolares são amplificadores de corrente os FETs e MOSFETs funcionam como amplificadores de tensão do mesmo modo como funcionam