qualificacao

Ante-Projeto: Estudos Sobre Discordˆancias Cristalinas
Arnaldo Cesar Almeida Oliveira [e-mail] Orientador: Mois´es Monteiro de Ara´ ujo 28 de novembro de 2013

II) Material impresso a ser entregue na semana anterior at´e 22/08/2013 (9-12 p´aginas):
Texto contendo os seguintes itens: a. Introdu¸ca˜o/Motiva¸ca˜o. b. Descri¸c˜ao do Problema/Objetivos/Justificativa. c. Metodologia d. Resultados Preliminares/Resultados
Esperados e. Cronograma de T´ermino. f. Bibliografia.

1

1 Introduc¸˜ao
Neste trabalho faremos um estudo sobre discordˆancias cristalinas, que est˜ao associadas a processos de deforma¸c˜ao pl´astica em s´olidos(cristalinos). Nos materiais semicondutores, esses defeitos s˜ao determinantes dos processos de espalhamento e recombina¸c˜ao de portadores. Nossos estudos se concentrar˜ao nos materiais semicondutores: sil´ıcio, germˆanio. Pois esses materiais tˆem propriedades cient´ıficas e tecnol´ogicas.
Para os c´alculos utilizaremos o m´etodo semiemp´ırico da matriz densidade TightBinding de ordem-N (DMTB) que ´e escalonado na ordem de N (n´ umero de el´etrons do sistema), comparado a outros m´etodos este se mostra muito eficiente computacionalmente, h´a alguns m´etodos que s˜ao da ordem de N 3 , contudo este m´etodo limita nossos c´alculos a obten¸c˜ao de energias totais e geometrias de equil´ıbrio onde usaremos uma base LCAO para representar a fun¸ca˜o de onda do sistema, o que n˜ao chega a ser um empecilho pois este ´e o nosso interesse principal, nesse estudo.

Sum´ario
Lista de Figuras

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5

1.1

Cristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6

1.2

Discordˆancias Cristalinas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

7

2 Materiais de Interesse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
3 Metodologia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
3.1

Aproxima¸c˜ao de