Latência memória

TIAGO ANGELI CAVALIÉRI

A memória RAM pode ser compreendida como uma matriz de duas dimensões, com linhas e colunas. Cada termo dessa matriz é um espaço da memória, onde dados serão armazenados. Para escrever os dados nesses espaços e posteriormente lê-los, existe um tempo de acesso, que é chamado de latência. Quanto menor for a latência, maior será o desempenho. No entanto, para que as leituras e escritas sejam feitas, é necessário que os espaços fiquem disponíveis para acesso por um tempo mínimo, ou seja, se for um tempo muito pequeno, a estabilidade do sistema será comprometida.

Quanto menor as latências, maior o desempenho, mas a diferença é pequena para a dor de cabeça ocasionada por tentar encontrar o melhor ajuste.

Latências muito baixas podem prejudicar a estabilidade, mas não há nenhum risco de dano ao sistema.

Aumentar a tensão, de uma forma geral, auxilia a estabilidade. No entanto, não necessariamente terá de aumentá-la para conseguir melhores latências.
O CAS = \"Column Access Strobe\", que pode ser interpretado como sinal de acesso à coluna.
Durante o acesso aos dados na memória, uma vez que o banco de memória é carregado e a página de memória é selecionada, o CAS seleciona a coluna na qual se dará o início da leitura dos dados dentro daquela página.
Todavia essa seleção, entre emitir o comando e posicionar o CAS, tem uma demora, ou latência de alguns ciclos, é por isso que normalmente chamamos o parâmetro de CL, ou CAS Latency.
Considerando que entre 30 a 60% dos acessos a memória se dão na mesma página, não é difícil imaginar porque a CL é o parâmetro de latência mais importante quando da escolha da memória. As memórias SDR estão disponíveis com CL de 2 ou 3 ciclos e as DDR de 2 ou 2,5 ciclos.
Pela lógica, concluímos que quanto menor a CL mais rápido os dados estarão disponíveis para serem lidos, então devemos sempre dar preferência para memórias com CAS Latency de 2 ciclos, ou simplesmente CL2.
- tRCD (RAS to CAS Delay): esse parâmetro