Laboratório de física moderna eletrônica

FIW362

IF-UFRJ
Laboratório de Física Moderna Eletrônica
Prof. Antonio Carlos Santos

Curso de Licenciatura em Física

Aula 4: Polarização de Transistores
Teoria – O Transistor é basicamente constituído de três camadas de materiais semicondutores, formando as junções NPN ou PNP. Essas junções recebem um encapsulamento adequado, conforme o tipo de aplicação e a ligação de três terminais para conexões externas.

emissor

coletor

emissor
N

P

N

N

P

coletor base P

base

A corrente de emissor (IE) é composta pela soma das correntes de base (IB) e de coletor (IC).
Analogamente, observamos que, a tensão entre coletor-emissor (VCE) é composta pela soma das tensões base-emissor (VBE) e base –coletor (VCB). Portanto, podemos escrever
IE = IB + IC
VCE = VBE +VBC (NPN)

SIMBOLOGIA
NPN

PNP

coletor

coletor

base

base emissor emissor

Sem polarização, uma junção NPN ou PNP, apresenta duas barreiras de potencial, idênticas àquela vista na junção PN de um diodo semicondutor. Para movermos os elétrons e lacunas nos materiais, é necessária a colocação de baterias que poderão deixar cada junção direta ou reversamente polarizada. Vamos a seguir, analisar todas as possibilidades de polarização, destacando o caso mais vantajoso :
1o caso – as duas junções reversamente polarizadas

12

P

N

N

N

P

P

Neste caso, não há circulação de corrente, pois as duas junções estão reversamente polarizadas, deixado o dispositivo em situação de corte.
2o caso – as duas junções diretamente polarizadas

P

N

N

N

P

P

Neste caso, circula corrente pelas duas junções, estando o dispositivo em situação de saturação .
3o caso – uma junção diretamente polarizada e a outra reversamente polarizada

P

N

N

N

P

P

Neste caso, circula corrente por ambas as junções, apesar da polarização reversa, pois aqui, ocorre o fenômeno denominada de efeito transistor . Devido a esse fenômeno,