Fabrico e Caracterização de um Backplane de matriz activa de TFTs

Departamento de Ciência dos Materiais
MTMP

Backplane de matriz activa de TFTs

Fabrico e Caracterização
Docente:
Prof. Doutor Pedro Barquinha
Trabalho realizado pelo Grupo 1:
Catarina Rodrigues, nº 34733
Ricardo Ramos nº 36764
Raquel Barras, nº 34372
Susana Oliveira nº 34234
Susana Marques nº 36384
Junho 2014

Índice
Objectivos............................................................................................................................................ 5
Introdução ........................................................................................................................................... 5
Endereçamento por matriz passiva................................................................................................. 5
Endereçamento por matriz activa ................................................................................................... 6
TFT (Thin Film Transistor) ................................................................................................................ 6
Procedimento ...................................................................................................................................... 7
Tratamento superficial do Substrato .............................................................................................. 7
Fotolitografia: Layer #1 - Eléctrodos de gate .................................................................................. 7
Sputtering: Deposição dos eléctrodos de gate de Molibdénio ....................................................... 8
Lift-off .............................................................................................................................................. 9
Fotolitografia: Layer #2- Dieléctrico ................................................................................................ 9
Sputtering: Deposição do dieléctrico de SiO2-Ta2O5-SiO2