Fabricação de circuito integrado

|[pic] |Universidade do Sul de Santa Catarina - UNISUL |
| |Disciplina: Arquitetura de Computadores |
| |Carga horária: 60 horas/aula |

TECNOLOGIA DE FABRICAÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

1 AS ETAPAS DE FABRICAÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

2 A preparação da Lâmina de Silício

Hoje o material inicial mais usado para fabricação dos atuais circuitos integrados é o silício com alto grau de pureza. O material é crescido como um cristal na forma de tarugo com cor cinza-metálica. Assim o cristal é cortado em finas fatias, para assim produzir lâminas.
Após o corte das fatias ela é submetida a um polimento até fica um espelho, utilizando técnicas de polimento mecânico-químico (chemical mechanical polishing – CMP).
As propriedades elétricas e mecânicas da lâmina dependem da orientação cristalina que é adotada durante o crescimento e as impurezas presentes. As variáveis são estritamente controladas durante o crescimento do cristal. Algumas impurezas podem ser adicionadas intencionalmente ao silício puro para fazer a dopagem. Assim a dopagem permite a alteração controlada das propriedades elétricas do silício. É comum o uso de símbolos + e - representar concentrações relativamente mais altas e mais baixas de dopagem dos dispositivos. Uma lâmina de silício tipo n, é conhecida como material tipo n+ enquanto uma região levemente dopada é conhecida como n-. Essa habilidade de controlar a dopagem do silício permite a produção de diodos, transistores e resistores nos circuitos integrados.

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1 Figura 1 – Tarugo e lâmina de silício.

3 A oxidação

É um processo químico de reação do silício com o oxigênio para formar o dióxido de silício. Para evitar a