Estudante

Eletrônica
“Polarização de um transistor de junção bipolar por divisão de tensão”

Nome: André Julio Pires Afonso Turma: 598108 UFCD 6035 [CBT5.1] Nome de Formador: Fernando Oliveira

Índice (Index)
Historia...........................................................................................................................................................4 Objetivo do Trabalho.....................................................................................................................................5 Materiais e Ferramentas Usados (Tools and Materials)............................................................................6 Medições efectuadas (Measurements)........................................................................................................6 Esquematica (Schematic).............................................................................................................................7 Conclusão (Conclusion)...............................................................................................................................7

Historia O transístor de junção bipolar foi o primeiro tipo de transistor a ser produzido 1. O nome transistor foi derivado de suas propriedades intrínsecas "resistor de transferência", em inglês: (TRANsfer reSISTOR). Os Laboratórios Bell mantiveram essa descoberta em segredo até junho de 1948 2 (daí a confusão com as datas de descobrimento). Operação O Transístor de Junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três regiões de semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas por duas Junções p-n. Existem dois Tipos de TsJB (BJTs): npn e pnp. O Tipo npn consiste em duas regiões n separadas por uma região p. O tipo pnp consiste em duas regiões p separadas por uma região n3. O transistor é construído de tal forma que praticamente toda a corrente é constituída pelo fluxo de electrões do emissor para a base. A região do emissor é muito mais fortemente dopada