ELETRONICA DE POTENCIA

Bárbara Castro
Délio Corrêa
Emanuel Carvalho
Fernanda Áris
Lucas Froede
Kamilla Pereira

Eletrônica de Potência

IGBT

O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate
Bipolar Transistor, ou em
Português, Transistor Bipolar de Porta Isolada.

Simbologias

Funcionamento
O Transistor bipolar de Gate Isolado foi criado para unir os pontos fortes do transistor bipolar e o FET. O
IGBT como o próprio nome diz é um transistor hibrido, isto é, o terminal (gate) é isolado do canal principal. Essa é uma característica comum do MOSFET porem seu canal é concebido como um transistor bipolar, cujos terminais são coletor e emissor. As principais características do IGBT são alta impedância de entrada, capacidade de trabalho com grandes potências em frequência elevada e baixas perdas em condução, como ocorre nos BJTs.

Sua velocidade de chaveamento é determinada, a princípio, pelas características mais lentas. Então dizemos que a velocidade dos IGBTs é semelhante à dos BJTs, porém, nos últimos tempos tem-se permitindo a operação em frequências de dezenas de kHz, nos componentes para correntes na faixa de dezenas e até centenas de Ampères.

Um IGBT é feito de quatro camadas alternadas PNPN e poderia travar (reter) como um tiristor dada uma condição necessária. A camada isoladora n+ e a larga base epi reduzem o ganho no terminal
NPN pelo projeto interno, evitando assim o travamento (retensão).

O IGBT é um dispositivo controlado por tensçao, similar a um MOSFET de potência. Ele tem baixas perdas de chaveamento e condução, facilidade de excitação de porta, corrente de pico, capacidade e robustez, etc.

Estrutura Básica do IGBT

Os dispositivos IGBTs são usados para: Controle

no disparo e bloqueio de

circuitos;
No uso de sinais contínuos;
Quando há necessidade da capacidade de bloqueio unipolar;
Comutadores em inversores de frequência; Inversores em geral.

Atualmente é muito utilizado em equipamentos modernos como carros elétricos ou