Diodo semicondutor

29/11/2012

Universidade Federal de Santa Maria Departamento de Eletrônica e Computação

ELC 1058 CIRCUITOS ELETRÔNICOS I
Diodo Semicondutor
Prof. Cesar Augusto Prior [e-mail]

Dopagem de semicondutores
No cristal de silício, os átomos compartilham 4 elétrons da camada de valência.

Circuitos Eletrônicos I

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Dopagem de semicondutores
O antimônio (Sb) possui 5 elétrons na camada de valência. O elétron não compartilhado passa para a banda de condução
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Dopagem de semicondutores
O efeito resultante é o deslocamento no nível de energia do bandgap.

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Dopagem de semicondutores
O boro (B) possui 3 elétrons na camada de valência.

O elétron em falta tem o efeito de uma lacuna na banda de valência.
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Dopagem de semicondutores
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Com adição de átomos do grupo V em substituição a átomos de silício na rede, quatro elétrons de valência destes átomos serão utilizados nas antigas ligações do átomo de silício. E um elétron ficará livre (banda de condução). Com adição de átomos do grupo III em substituição aos átomos de silício na rede, apenas três elétrons destes átomos serão utilizados nas antigas ligações do átomo de silício que ele substituiu. E um elétron ficará faltando nas ligações, criando uma lacuna na banda de valência.
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Dopagem tipo n e tipo p
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A adição de átomos do grupo V constitui uma dopagem tipo n. O Fósforo (P) e o Arsênico (As) são uma impurezas tipo n para o silício.

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A adição de átomos do grupo III constitui uma dopagem tipo p. O Boro (B) e o Alumínio (Al) são uma impurezas tipo p para o silício.

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Semicondutores
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Um semicondutor sem impurezas é chamado semicondutor intrínseco. Um semicondutor dopado (com impurezas) é chamado semicondutor extrínseco. Impurezas com cinco elétrons na