Diodo gun: aplicação

Diodo Gunn * Simbologia

* Construção
É diodo semiconductor do tipo N, constituído por 3 camadas, nas quais a do meio é a camada ativa, nela o nível de dopagem é menor. Sua resistência é negativa. Segundo o site electrónica, esse material semicondutor utilizado nesse diodo pode ser Arsenieto de Gálio (GaAs) ou Nitreto de Gálio (GaN), este último para frequências mais elevadas.

Segundo o site MSPC, na realidade o diodo Gunn é um oscilador e podem oscilar em frequências de cerca de 5 GHz até cerca de 140 GHz. Porém a frequência depende principalmente da camada ativa
Já o site electrónica diz que o diodo Gunn é usado como oscilador local cobrindo as frequências de microondas de 1Ghz a mais de 100Ghz. * Aplicação

Segundo o site www.fazano.pro.br, se uma pequena tensão for aplicada aos terminais ôhmicos da camada N, e do substrato, produzirá o campo elétrico responsável pela formação dos pacotes de pulsos.
A freqüência dos pulsos de correntes assim gerados depende não somente do tempo de deslocamento através da camada-N como, também, da sua espessura.
Desta maneira, se o diodo assim conformado for montado em uma cavidade ressonante sintonizada, a excitação por choque gera oscilações de radio freqüência com potencia de até 1 W em amplitudes de 10 a 30 GHz.
O diodo GUNN é usado na fabricação de transmissores de baixa e média potencia, sistemas de sensoriamento de proximidade, e em topologias de circuito como oscilador local e de bloqueio.
O site MSPC diz que a frequência gerada por um diodo Gunn depende principalmente da espessura da camada ativa. Entretanto, dentro de certos limites, ela pode ser ajustada pela ressonância da cavidade.

Referencias: http://www.mspc.eng.br/eletrn/semic_220.shtml http://www.electronica-pt.com/index.php/content/view/277/37/