Calculo

Objetivo:

Analisar através de medições, as características e limitações do componente eletrônico Diodo Semicondutor e plotar sua curva característica.

Introdução Teórica:

Os diodos são componentes eletrônicos compostos de cristal semicondutor de silício ou germânio, numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes gases durante sua formação, os diodos são dispositivos que permitem a passagem da corrente elétrica em um só sentido, bloqueando correntes vindas em sentido opostos.

A dopagem do diodo semicondutor e os cristais P e N

Através do processo de dopagem, átomos de silício ou germânico são trocados por átomos de outros elementos químicos. Esses átomos de outros elementos químicos são chamados de impurezas. Se um átomo de germânio ou silício for substituído por um átomo de um material químico que tenha cinco elétrons livres em sua ultima camada – como o fósforo, o antimônio e o arsênio – haverá um elétron sobrando na estrutura cristalina para cada impureza inserida, já que a estrutura cristalina está em equilíbrio quando os átomos possuem quatro elétrons livres cada. O material químico formado nesse processo de dopagem e chamado material tipo N e sua característica é possuir elétrons sobrando em sua estrutura. Esses elétrons sobrando também são chamados de impurezas doadoras. Já se fizermos com que um átomo de germânico seja substituído por um átomo de um material químico que tenha três elétrons livres em sua ultima camada – como o boro, o índio e o gálio – haverá a falta de um elétron para tornar a estrutura equilibrada. O material químico formado nesse processo de dopagem é chamado material tipo P e sua característica é possuir lacunas sobrando em sua estrutura. Lacunas são espaços necessitando receber elétrons livres para manter seu equilíbrio químico. As lacunas também são chamadas impurezas aceitadoras.
Após dopadas, cada face dos dois tipos de cristais (P e N)terá uma determinada característica diferente da oposta,