ATPS
B1 (primeiro bimestre)
Profº. Cristiano Malheiro
Padronização
O material escrito solicitado nesta atividade deve ser produzido de acordo com as normas da ABNT, com o seguinte padrão:
em papel branco, formato A4; com margens esquerda e superior de 3cm, direita e inferior de 2cm; fonte Times New Roman tamanho 12, cor preta; espaçamento de 1,5 entre linhas; se houver citações com mais de três linhas, devem ser em fonte tamanho 10, com um recuo de 4cm da margem esquerda e espaçamento simples entre linhas; com capa, contendo: nome de sua Unidade de Ensino, Curso e Disciplina; nome e RA de cada participante; título da atividade; nome do professor da disciplina; cidade e data da entrega, apresentação ou publicação.
Pesquisa entregue em no máximo 4 alunos sobre:
Semicondutores Intrínsecos e Extrínsecos
(Silício Tipo N e Silício Tipo P)
- Bem objetivo (máximo 15 páginas), com ilustrações, equações e teoria.
Entrega no dia da prova (06/03/2015)
Bibliografia recomendada e sites (sugestões):
CALLISTER JR., William D. Fundamentos da Ciência e Engenharia de Materiais. 2ª ed. Rio de Janeiro: LTC - Livros Técnicos e Científicos, 2006.
UNICAMP – link: <http://www.dsif.fee.unicamp.br/~fabiano/EE530/PDF/Texto%20-%20F%EDsica%20dos%20Semicondutores.pdf>
BOGART JÚNIOR, Theodoro F.. Dispositivos e Circuitos Eletrônicos. 3ª ed. São Paulo: Makron Books, 2001.
BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, L.. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 8ª ed. São Paulo: Pearson -
Prentice Hall, 2004.
REZENDE, S. Materiais e Dispositivos Eletrônicos. São Paulo: Livraria da Física, 2001
SMITH, Kenneth C.; SEDRA, Adel S.. Microeletrônica. 5ª ed. São Paulo: Pearson - Prentice Hall, 2007, v.1.