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6.0 TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Um transistor é um componente eletrônico ativo que é formado por duas junções PN. São geralmente feitos de Silício e neste caso, como os diodos, possuem nas junções PN uma barreira de potencial de 0,7 V. Possui três terminais chamados de coletor, base e emissor.

Conforme se vê no desenho abaixo a região de emissor é fortemente dopada, e a região de base é fracamente dopada. Já a região de coletor apresenta uma dopagem mediana. A região de coletor é muito maior que as outras regiões devido ao fato de ser nesta região que se dissipa todo calor gerado durante o funcionamento do transistor. A região de base é muito fina e durante o processo de formação de junção PN emissor / base a camada de depleção se aprofunda mais na região de base principalmente devido ao fato desta região ser fracamente dopada. O mesmo ocorre na formação da junção entre coletor / base, porém com menor intensidade.

6.1 POLARIZANDO O TRANSISTOR

Por ser um componente ativo, o transistor precisa obrigatoriamente ser alimentado por fontes externas para que possa ser utilizado. Os circuitos de polarização de transistores mais comuns são formados por fontes de tensão e resistores para de limitação da corrente. A polarização do transistor é definida pela relação entre as correntes de base, emissor e coletor. Há diversas configurações possíveis.

6.2 POLARIZAÇÃO DIRETA

Na polarização direta:

VBE = 0,7 V

VCB > 0,7 V

6.3 POLARIZAÇÃO REVERSA

Quando se polariza as junções reversamente como na figura acima as junções se comportam como diodos comuns sofrendo uma alargamento da largura das camadas de depleções, expansão esta limitada somente pelas características das junções. A junção BE normalmente é capaz de suportar tensões de até 30 V. Já a junção BC suporta tensões de até mais ou menos 300 V.

6.4 POLARIZAÇÃO DIRETA – REVERSA

Polarizando o transistor da forma acima nota-se que existe uma corrente